硅基异质结构及其光电器件

报告题目：硅基异质结构及其光电器件

报 告 人：皮孝东 浙江大学

报告时间：5月23日10：30

报告地点：37-602

报告摘要：在后摩尔时代，硅基光电集成是集成电路发展的重要方向。作为硅基光电集成的基础，硅基异质结构及其光电器件近年来备受关注。我们基于硅技术平台，围绕低维硅材料如硅量子点和硅纳米膜，通过跨尺度创新设计，构建了一系列新型硅基异质结构，制备了从紫外到中红外的宽光谱硅基光电探测器、融合了光传感与存算功能的硅基光电神经突触器件、外量子效率达到13.2%的硅基发光二极管、能用于集成电路防伪的硅基光学物理不可克隆函数。

报告人简介：浙江大学半导体材料研究所所长，浙江大学求是特聘教授，国家高层次人才特殊支持计划科技创新领军人才，国家自然科学基金委员会优秀青年基金获得者。担任中国真空学会电子材料与器件专业委员会副主任委员、中国电子学会半导体与集成技术分会副主任委员、浙江省真空学会理事长、学术期刊Journal of Semiconductors的副主编、学术期刊Applied Physics Letters的编辑顾问委员会成员、《电子学报》编委。 主要从事半导体材料与器件研究，特别是针对大尺寸的碳化硅晶体和纳米尺度上的硅晶体，重点研究其晶体生长、杂质和缺陷调控以及新颖的异质结构和器件。