11月15日，浙江大学杭州国际科创中心和硅及先进半导体材料全国重点实验室“科创百人计划”研究员、博导李东珂应邀来我院为师生做了题为“Silicon Quantum Dots: Controllable Doping, Performance Tuning, and Device Applications”的专题学术报告。副院长于忠卫主持报告会。
李东珂首先介绍了硅量子点（Si QDs）的独特性质及其在纳米器件领域的广泛应用前景。他指出，虽然硅量子点具有优异的光电性能和低成本优势，但实现高效发光与有效掺杂仍是一个挑战。李东珂基于团队之前的工作，详细阐述了磷（P）和硼（B）在硅量子点中的掺杂机制，比较了P、B单独掺杂和共掺杂在硅量子点中的最佳占据位置，以及适当的磷掺杂可以增强硅量子点的发光性能，次带隙发光现象等，并提出了相应的模型。基于这些成果，团队开发了一系列高性能光电器件，包括高效硅基LED、光电探测器和光伏器件，展现了广泛的应用前景。报告结束后，李东珂与现场师生进行了热烈的互动交流。他对大家提出的问题给予了详尽的解答。
（李威/文 冀曙敏/摄）