3月29日，南京大学电子科学与工程学院博导余林蔚教授应邀来院交流，并为学院师生做题为“硅基纳米线光电器件及三维集成”的学术报告。副院长于忠卫主持报告会。
报告围绕硅基纳米线生长及应用展开，阐释了硅纳米线纵向生长以及在径向结太阳能、光检测、生态模拟如人眼模拟等方面的应用和基于平面横向硅纳米线的生长以及在力学检测、晶体管制备等方面的应用两个方面的内容。余林蔚指出，生长超细晶硅纳米线是实现高效场效应调控、抑制短沟道效应和降低漏电功耗的最理想准一维沟道结构，在制备最新一代高性能围栅晶体管（GAA-FET）、薄膜晶体管（TFT）显示驱动和探索三维一体化器件集成新构架中都具有极其重要的应用潜力。立足于自主创新的IPSLS生长模式，利用非晶硅作为前驱体，利用氮/氧叠层刻蚀侧壁上的精细沟槽作为引导，可批量生长10层垂直堆叠的超细单晶纳米线阵列。基于此IPSLS生长策略，可摆脱对晶硅衬底的依赖，仅通过低温生长过程将高品质晶硅纳米线沟道精准集成制备于三维构架之中，为实现具有更高器件密度的Monolithic 3D integration构架、探索非冯诺依曼存算一体化构架、以及新型仿生微纳机械提供了理想的高品质材料基础和全新的制备技术路径。报告分享了多场景的科研与应用情景。在报告结束后，余林蔚还就硅纳米线生长机理、生物学应用等一些学术前沿问题与现场师生进行了深入交流。本场报告开拓了师生的视野，让师生们体验了一场精彩的科研动态学习与学术思维的碰撞。
新闻链接：余林蔚，主要研究方向包括硅基纳米线可靠生长制备、三维集成和高性能器件应用。获国家杰出青年基金、江苏省双创计划和省杰出青年基金等人才项目资助。担任法国国家科学研究院终身职位研究员（CNRS-CR2），英国物理协会IOP《Nanotechnology》编委，国际非晶/纳米晶薄膜半导体会议（ICANS）国际常驻顾问委员会委员。在硅基纳米线集成制备和器件应用等领域系列工作，以第一/通讯作者在PRL、Nature Commun、Nano Letters、AM和AFM等国际一流学术期刊上发表论文90余篇。获得国际PCT发明授权专利3项和国内授权发明专利39项。主持基金委“后摩尔时代重大研发计划（重点）”等研究项目，并与华为终端、海思以及京东方等企业启动多项 “产学研”成果转化。2022年以第1完成人获教育部高等学校科学研究优秀成果“自然科学”二等奖。
（于忠卫/文 周朋霞/摄）