报告题目：硅基纳米线光电器件及三维集成
报告时间：3月29日10:00
报告地点：36-507
报告简介：报告将围绕硅基纳米线生长及应用展开，主要内容包括超细晶硅纳米线是实现高效场效应调控、抑制短沟道效应和降低漏电功耗的最理想准一维沟道结构，这些在制备最新一代高性能围栅晶体管（GAA-FET）、薄膜晶体管（TFT）显示驱动和探索三维一体化器件集成新构架中都具有极其重要的应用潜力。立足于自主创新的IPSLS生长模式，利用非晶硅作为前驱体，利用氮/氧叠层刻蚀侧壁上的精细沟槽作为引导，可批量生长10层垂直堆叠的超细单晶纳米线阵列。例如，通过对催化液滴的分行调控，成功实现了10层堆叠的晶硅纳米线阵列，将直径从之前的Dnw=28±2.4 nm大幅压缩到Wnw=9.9±1.2 nm和Hnw=18.8±1.8 nm，（最细晶硅纳米线为8 nm），从而获得CD<10 nm节点的沟道特征尺寸。进一步截面HR-TEM分析统计证实在直径（高或宽）≤18 nm 以下低温生长（@350 oC）过程中，晶硅纳米线沟道具有优势的Si<110>晶向，且所生长的晶硅纳米线截面形貌可以通过预设侧壁沟槽“纵宽比”有效调控。基于此IPSLS生长策略，可摆脱对晶硅衬底的依赖，仅通过低温生长过程将高品质晶硅纳米线沟道精准集成制备于三维构架之中，为实现具有更高器件密度的Monolithic 3D integration构架、探索非冯诺依曼存算一体化构架、以及新型仿生微纳机械提供了理想的高品质材料基础和全新的制备技术路径。
报告人简介：余林蔚，南京大学电子科学与工程学院教授/博导，主要研究方向包括硅基纳米线可靠生长制备、三维集成和高性能器件应用。获国家杰出青年基金、青年千人、江苏省双创计划和省杰出青年基金等人才项目资助。担任法国国家科学研究院终身职位研究员（CNRS-CR2），英国物理协会IOP《Nanotechnology》编委，国际非晶/纳米晶薄膜半导体会议（ICANS）国际常驻顾问委员会委员。在硅基纳米线集成制备和器件应用等领域系列工作，以第一/通讯作者在PRL、Nat. Commun.、Nano Letters、AM和AFM等国际一流学术期刊上发表论文90余篇。获得国际PCT发明授权专利3项和国内授权发明专利39项。主持基金委“杰出青年基金”、“后摩尔时代重大研发计划（重点）”等研究项目，承担江苏省科技支撑计划专项，并与华为终端、海思以及京东方等企业启动多项 “产学研”成果转化。2022年以第1完成人获教育部高等学校科学研究优秀成果“自然科学”二等奖。